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2N6075B中文资料

2N6075B图片

2N6075B外观图

  • 大小：84.7KB
  • 厂家：CENTRAL [Central Semiconductor Corp]
  • 描述：SENSITIVE GATE TRIAC 4.0 AMPS, 200 THRU 600 VOLTS
  • 制造商：ON Semiconductor
  • 产品种类：双向可控硅
  • 额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V
  • 最大转折电流 IBO：30 A
  • 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：10 uA
  • 栅触发电压 (Vgt)：2.5 V
  • 栅触发电流 (Igt)：5 mA
  • 保持电流（Ih 最大值）：15 mA
  • 正向电压下降：2 V
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-225-3
  • 封装：Box
  • 最大工作温度：+ 110 C
  • 最小工作温度：- 40 C
  • 重复峰值正向闭塞电压：600 V
  • 工厂包装数量：500

2N6075B供应商

更新时间:2022-12-30 18:22:03
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